بهبود حسگر گاز سولفید هیدروژن (H2S) بر پایۀ لایه‌های نازک نیمه‌هادی اکسید فلز (NiO)

Abstract

خواص ساختاری و ریخت‌شناسی لایه‌های نازک NiO برای بررسی امکان بهره‌برداری از آن به عنوان یک حسگر گاز مورد مطالعه قرار گرفته است. این لایه‌های نازک با استفاده از روش تجزیه در اثر حرارت افشانه شیمیایی بر روی بسترهای شیشه‌ای با استفاده از غلظت های مختلف محلول آبی نیترات نیکل هگزا هیدرات [Ni(NO3)2:6H2O] به دست آمده است. لایه‌های تولید شده با استفاده از پراش پرتو ایکس و میکروسکوپ نیروی اتمی مشخصه‌یابی شدند. بررسی‌ها نشان داد که نمونه‌ها یک ساختار مکعبی چند کریستالی با جهت‌گیری ترجیحی در امتداد صفحۀ (111) دارند. تحلیل توپوگرافی سطح (AFM) نشان می‌دهد که اندازۀ دانه‌ها با افزایش غلظت افزایش می‌یابد، به گونه‌ای که میانگین قطر دانه‌ها از 04/42 تا 06/110 نانومتر در غلظت‌های 01/0 تا 1/0 مولار افزایش می‌یابد. نتایج سنجش گاز نشان می‌دهد حساسیت لایه‌های نیمه‌هادی اکسید نیکل به گاز سولفید هیدروژن تحت تأثیر اندازۀ بلورهای در حال رشد و دمای کار است.

Keywords

• afm
• حسگر گاز
• نیمه‌هادی اکسید فلزی
• دمای عملیاتی
• حساسیت