Критерій вибору діелектрика для кремнієвих МДН-структур

Abstract

Розглядаються питання загального підходу до пошуку діелектрика для кремнієвих МДН-структур як альтернативного діоксиду кремнію (SiO2). Показано, що на основі класичної теорії опису кристалічної решітки (вузловий аспект) неможливо одержати критерій вибору діелектрика для МДН-структур. Тому запропоновано новий – міжвузловий аспект – опису кристалічної решітки, на основі якого одержано загальний критерій вибору діелектрика для будь-якої напівпровідникової підкладки. Завдяки введенню нового характеристичного параметру кристалічної речовини – середньої довжини зв’язку – одержано аналітичний вираз для роботи виходу електрона з кристалу. Встановлено, що найбільш придатним для кремнієвих МДН-структур є діоксид церію CeO2. Бібл. 10, рис. 9.

Keywords

• МДН-структура
• вузловий аспект
• міжвузловий аспект
• середня довжина зв’язку
• критерій вибору
• робота виходу