Revista de Investigaciones Universidad del Quindío (Dec 2009)

Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida

  • José Fernando Gómez,
  • Ana Patricia Cardona,
  • Marianela De-Los-Ríos,
  • Liliana Tirado-Trujillo,
  • Hernando Ariza-Calderón

DOI
https://doi.org/10.33975/riuq.vol19n1.770
Journal volume & issue
Vol. 19, no. 1

Abstract

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En este trabajo se muestran algunos resultados preliminares del proceso de crecimiento por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se describe el proceso de fabricación de la heteroestructura así como también se muestran los resultado obtenidos de su caracterización por Difracción de Rayos X (DRX) y Fotoluminiscencia (FL) los cuales evidencian el crecimiento epitaxial de la heteroestructura.

Keywords