Study The Surface Characterization of Anodic grow SiO2 nano Film on Si by using AFM

Abstract

في هذا العمل تم دراسة خصائص السطح النانوي لغشاء SiO2 ذي سمك بحدود (2.3- 11.5) nm باستخدام المجهر القوة الذرية . تم أنماء غشاء نانوي من SiO2 على أرضية Si (100) نوع p-type وذلك باستخدام تقنية الأكسدة الانودية وباستعمال محلول (%75H2O+%25 isopropanol ) بوجود 0.1N KNO3 كاالكتروليت مساعد . ولوحظ من التحليل الكيميائي لسطح SiO2 باستخدام (EDAX) وجود عنصر الأوكسجين (O) وعنصر السليكون (Si). وكذلك لوحظ أن سمك الاوكسيد SiO2 يزداد بزيادة جهد الإنماء . تم استخدام تقنية AFM لدراسة طوبغرافية النانوية لغشاء SiO2 . لقد وجد أن كل من الخصائص التالية ، طوبغرافية النانوية لغشاءSiO2 النانوي ، معدل خشونة ، مساحة الحبيبة ، حجم الحبيبة وأخيرا طول الحبيبة تزداد مع زيادة سمك SiO2 النانوي