بررسی خواص گسیل میدانی آرایه‌ی نانو‌سیم‌های اکسید روی آلاییده شده با طلا

Abstract

آرایه‌ای از نانوسیم‌های اکسید روی از طریق لایه‌نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه‌ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oC 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه‌ای از قله‌های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم‌های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده‌اند. مطالعات طیف‌سنجی فوتوالکترون اشعه‌‌ی ایکس نشان داد کهاتم‌های Au و Zn در حالت اکسید هستند. مطالعه‌ی گسیل میدانی الکترون به وسیله‌یساختار دیودی در فشار mbar8-10´1 صورت پذیرفت. مقدار میدان عطف،مطابق تعریف برای چگالی گسیل جریان الکترون 2µA/cm 1/0، V/µm4/2 به‌دستآمد. نمودار فولر- نوردهیم (F-N) رفتار خطی را در کل محدوده‌ی میدان اعمال شده مطابق با رفتارذاتی گسیل‌کننده‌های نیم‌رسانا نشان داده است

Keywords

• اکسید روی
• نانوسیم‌ها
• طیف‌سنج فوتوالکترون اشعه ایکس
• گسیل میدانی الکترون