Journal of Advanced Materials in Engineering (May 2023)
تأثیر تلفیق میدان مغناطیسی و پاشش الکتریکی بر جهت‌گیری نانولوله‌های‌کربنی در ذرات جاذب کامپوزیتی هسته-پوسته آلژینات و جذب متیلن‌بلو
Abstract
در تحقیق حاضر، اثرات میدان مغناطیسی و پاشش الکتریکی بر جهت‌گیری نانولوله‌های‌کربنی پایدارشده با عامل سطحی کربوکسیل در زمینه جاذب آلژینات-نانولوله‌های‌کربنی و هچنین بر جذب متیلن‌بلو مورد بررسی قرار گرفت. ویژگی‌های جاذب و عملکرد آن‌ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی و طیف‌سنج مرئی- فرابنفش بررسی شدند. تصاویر میکروسکوپی نشان داد که به واسطه دو ساعت قرارگرفتن کلوئید آلژینات-نانولوله‌های کربنی در میدان مغناطیسی، با متوسط قدرت 318 میلی‌تسلا، نانولوله‌ها به‌طور قابل توجهی در زمینه پلیمری جهت‌گیری پیدا کردند. این در حالی است که پاشش قطرات کلوئیدی تحت میدان الکتریکی تأثیر ناچیزی در همراستا‌سازی آن‌ها داشته و اساساً منجر به ریزسازی قطرات و افزایش نسبت سطح به حجم ذرات شده است. با تلفیق میدان‌های مغناطیسی و الکتریکی در حضور نانولوله‌ها، به میزان 92/2 درصد جذب متیلن‌بلو، در مقایسه با حالت صرفا پاشش الکتریکی (71 درصد) و صرفاً پاشش الکتریکی بدون حضور نانولوله‌ها (59 درصد) به‌دست آمد. این تحقیق نشان داد که جهت‌گیری نانولوله‌های کربنی تحت میدان‌های مغناطیسی و الکتریکی در افزایش راندمان جذب آلاینده‌های زیست محیطی مؤثر بوده و می‌تواند منجر به تولید جاذب‌های اقتصادی‌تر شود.
Keywords
