Исследования остаточных упругих напряжений в многопериодных сверхрешетках GaN/AlN, выращенных на подложке SiC/Si

Abstract

Впервые методом хлорид-гидридной эпитаксии на гибридной подложке SiC/Si, синтезированной методом согласованного замещения атомов, сформирована многослойная гетероструктура, состоящая из периодически расположенных слоев GaN и AlN. Комплексное исследование гетероструктуры с использованием наномасштабного Рамановского картирования упругих напряжений показало, что в верхнем GaN слое величина двухосного напряжения sxx имеет минимальное значение ~ –0.12 ГПа. При этом в сверхрешетках, расположенных в верхней части гетероструктуры, напряжения практически отсутствуют

Keywords

• gan
• aln
• сверхрешетка
• рамановская спектроскопия