اپتوالکترونیک (Nov 2023)
ترابرد الکتریکی در یک سیم کوانتومی "Ga1-xAlxAs" در حضور برهمکنش الکترون- فونون
Abstract
در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه میشود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیمبینهایت فلزی در نظر میگیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب تقریب بستگی قوی، ضریب عبوردهی الکترون را در رهیافت تابع گرین در غلظتهای مختلف Al و طولهای متفاوت سیم کوانتمی ناحیه میانی به دست میآوریم. برای مطالعه اثر الکترون- فونون، یک نیروی واداشته تابع مکان و زمان را به هر اتم در یک زنجیرهی خطی در تقریب هماهنگ در نظر میگیریم. جابجایی هر اتم در انرژی پرش آن با همسایهها موثر است. نتایج محاسباتی این مقاله میتواند به درک ما از برهمکنش الکترون- فونون و تاثیر آن در خواص ترابرد الکتریکی کمک کند.
Keywords
