大面积单离子注入沟槽台面型锗光电探测器的研制

Abstract

采用电阻率ρ=0.35Ω-cm和6Ω-cm的掺Sb的N型Ge单晶作衬底材料,并分别注入B+、Be+形成P+区的方法,制作了两种光敏面为φ1.6mm台面型Ge-PD.光电性能测试表明,在近零偏压应用时,光谱响应与注入离子种类和电阻率无关,而Ⅰ—Ⅴ特性、响应度R?却与材料电阻率、结深和注入离子种类有关。