Proceedings
(Sep 2019)
Advanced Diffusion Strategies for Junction Formation in Germanium
Davide De Salvador,
Francesco Sgarbossa,
Gianluigi Maggioni,
Enrico Napolitani,
Chiara Carraro,
Sara Maria Carturan,
Walter Raniero,
Stefano Bertoldo,
Ruggero Milazzo,
Virginia Boldrini,
Gian Andrea Rizzi,
Daniel Ricardo Napoli,
Alberto Carnera
Affiliations
Davide De Salvador
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
Francesco Sgarbossa
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
Gianluigi Maggioni
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
Enrico Napolitani
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
Chiara Carraro
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
Sara Maria Carturan
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
Walter Raniero
National Institute for Nuclear Physics INFN, Laboratori Nazionali di Legnaro, Viale dell’Università 2, I-35020 Legnaro, Italy
Stefano Bertoldo
National Institute for Nuclear Physics INFN, Laboratori Nazionali di Legnaro, Viale dell’Università 2, I-35020 Legnaro, Italy
Ruggero Milazzo
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
Virginia Boldrini
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
Gian Andrea Rizzi
Dipartimento di Chimica, Università di Padova, Via Marzolo 1, I-35131 Padova, Italy
Daniel Ricardo Napoli
National Institute for Nuclear Physics INFN, Laboratori Nazionali di Legnaro, Viale dell’Università 2, I-35020 Legnaro, Italy
Alberto Carnera
Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Padova, Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy
DOI
https://doi.org/10.3390/proceedings2019026039
Journal volume & issue
Vol. 26,
no. 1
p.
39
Abstract
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The investigation of innovative dynamical processes for the fabrication of highly doped andhigh quality Ge layers is currently a hot topic in many applicative fields such as nanoelectronics,photonics and radiation detectors. [...]
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