بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی

Abstract

جذب فلوئور بر گرافن سبب تنظیم شکاف انرژی و در نتیجه گرافن آلائیده به فلوئور یکی از ترکیباتی است که موجب کاربردی شدن گرافن در صنایع الکترونیک می‌شود. در این مقاله نقش دما و غلظت اتم‌های فلوئور بر فرآیند جذب یک سویه صفحه گرافن و دو سویه آن بررسی شده است. نتایج این مطالعه نشان می‌دهند که تعداد اتم‌های فلوئور که جذب صفحه گرافن می‌شوند با افزایش غلظت گاز فلوئور تا مقدار معینی افزایش می‌یابند و سپس با افزایش بیشتر غلظت ثابت باقی می-مانند. همچنین با افزایش دما تا حدی که ساختار گرافن مختل نشود، سبب افزایش تعداد پیوندهای C-F می‌شود. همچنین مشاهده شد که چیدمان فلوئورهای جذب شده چنان است که از افزایش اختلال در توازن بین دو زیر شبکه گرافن جلوگیری شود.

Keywords

• دینامیک مولکولی
• گرافن
• فلوئوروگرافن
• جذب یک سویه