Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio (Oct 1999)
Láminas delgadas ferroeléctricas de titanato de plomo modificado con un 20% de lantano
Abstract
Lanthanum modified lead titanate ferroelectric thin films with a composition Pb0.7La0.2TiO3 have been prepared by a diol based sol-gel technique. The effect on the film structure, microstructure and composition of the initial PbO content, from the nominal value to an excess of 20 mole%, and of the heating rate of the thermal treatment of crystallisation at 650ºC, from 10ºC min-1 to more than 500ºC min-1, has been studied. It is not possible to obtain single phase films with the treatment at 10ºC min-1, even when PbO volatilisation is compensated with an initial excess of PbO of 20 mole%. It is possible with the treatment at more than 500ºC min-1 and the latter excess of PbO. These films present a relative dielectric permittivity at room temperature of ε= 700, and a variation between room temperature and 100ºC of Δε = 75, being both parameters very interesting for DRAMs.<br><br>Se han preparado láminas delgadas ferroeléctricas de titanato de Pb modificado con un 20% de La, Pb0.7La0.2TiO3, por una técnica sol-gel basada en la ruta de los dioles. Se ha variado el contenido inicial de PbO, del nominal a un exceso del 20% molar; y la velocidad de calentamiento en el tratamiento térmico de cristalización a 650ºC, de 10ºC min-1 a más de 500ºC min-1, y estudiado su efecto en la microestructura, estructura y composición de las láminas. No es posible obtener láminas monofásicas con el tratamiento con 10oC min-1, aun compensando la volatilización de PbO con un exceso inicial del 20% molar. Sí lo es con tratamiento rápido manteniendo dicho exceso de PbO. Estas últimas láminas presentan una permitividad dieléctrica a temperatura ambiente de ε=700, y una variación entre ambiente y 100ºC de Δε= 75, parámetros muy interesantes para memorias DRAMs.
