Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio (Dec 1999)
Dielectric Relaxation Behavior of Bismuth Doped (Ba<sub>0.2</sub>Sr<sub>0.8</sub>) TiO<sub>3</sub> Ceramics
Abstract
The dielectric properties of bismuth doped (Ba0.2Sr0.8)TiO3 ceramics are investigated. The temperature dependence of the dielectric permittivity and loss factor were measured from 102 to 106Hz in the temperature range 12-320K. As the amount of Bi increases, the ferroelectric-paraelectric phase transition gets diffused and relaxed. In addition to this ferroelectric-paraelectric phase transition, other two sets of dielectric anomalies, located at 50-100K and 200-300K respectively, are also found. The possible relaxation mechanisms are briefly discussed.Las propiedades dieléctricas de cerámicos dopados con bismuto son investigadas. La dependencia con la temperatura de la permitividad dieléctrica y el factor de pérdidas se midieron entre 02 y 106Hz en el rango de temperatura 12-320K. Con el aumento del contenido en Bi, la transición de fase ferroeléctrica-paraléctrica se hace difusa y reloja. Junto a esta transición de fase los conjuntos de anomalías dieléctricas, localizados a 50-100k y 200-300k respectivamente, también se encontraron. Se discute brevemente los posibles mecanismos de relajación.
