Превращения фаз в процессе отжига пленок Ga2O3

Abstract

Разработана методика роста получения трех основных кристаллических фаз Ga2O3, а именно: a-фазы, e-фазы и b-фазы методом хлоридной эпитаксии из пара (HVPE). Найдены температуры подложек и величины потоков прекурсоров при которых осаждается только a-фаза, только e-фаза или только b-фаза. Обнаружено, что отжиг метастабильных a- и e-фаз приводит к совершенно разным результатам: e-фаза в результате отжига быстро переходит в стабильную b-фазу, тогда как a-фаза при отжиге переходит в промежуточную аморфную фазу, после чего отслаивается и разрушается. Полученный результат объясняется тем, что реконструктивный фазовый переход из a-фазы в b-фазу сопровождается слишком большим увеличением плотности (~10 %), приводящим к огромным упругим напряжениям и, следовательно, увеличению высоты барьера фазового перехода

Keywords

• реконструктивные фазовые переходы
• оксид галлия
• полиморфы
• ифракция рентгеновских лучей
• спектроскопическая эллипсометрия
• рамановский спектр