Nature Communications (Jan 2020)
Quasiparticle tunnel electroresistance in superconducting junctions
- V. Rouco,
- R. El Hage,
- A. Sander,
- J. Grandal,
- K. Seurre,
- X. Palermo,
- J. Briatico,
- S. Collin,
- J. Trastoy,
- K. Bouzehouane,
- A. I. Buzdin,
- G. Singh,
- N. Bergeal,
- C. Feuillet-Palma,
- J. Lesueur,
- C. Leon,
- M. Varela,
- J. Santamaría,
- Javier E. Villegas
Affiliations
- V. Rouco
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- R. El Hage
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- A. Sander
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- J. Grandal
- Grupo de Física de Materiales Complejos, Dpto. Física de Materiales, Universidad Complutense de Madrid
- K. Seurre
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- X. Palermo
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- J. Briatico
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- S. Collin
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- J. Trastoy
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- K. Bouzehouane
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- A. I. Buzdin
- Université de Bordeaux
- G. Singh
- Laboratoire de Physique et d’Etude des Matériaux, ESPCI Paris, Université PSL, CNRS
- N. Bergeal
- Laboratoire de Physique et d’Etude des Matériaux, ESPCI Paris, Université PSL, CNRS
- C. Feuillet-Palma
- Laboratoire de Physique et d’Etude des Matériaux, ESPCI Paris, Université PSL, CNRS
- J. Lesueur
- Laboratoire de Physique et d’Etude des Matériaux, ESPCI Paris, Université PSL, CNRS
- C. Leon
- Grupo de Física de Materiales Complejos, Dpto. Física de Materiales, Universidad Complutense de Madrid
- M. Varela
- Grupo de Física de Materiales Complejos, Dpto. Física de Materiales, Universidad Complutense de Madrid
- J. Santamaría
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- Javier E. Villegas
- Unité Mixte de Physique, CNRS, Thales, Université Paris-Saclay
- DOI
- https://doi.org/10.1038/s41467-020-14379-w
- Journal volume & issue
-
Vol. 11,
no. 1
pp. 1 – 9
Abstract
The non-volatile switching of tunnel electroresistance in ferroelectric junctions provides the basis for memory and neuromorphic computing devices. Rouco et al. show tunnel electroresistance in superconductor-based junctions that arises from a redox rather than ferroelectric mechanism and is enhanced by superconductivity.
