Guangtongxin yanjiu (Jan 1995)

1．3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析

  • 金锦炎,
  • 李同宁,
  • 刘涛,
  • 李云樵,
  • 王任凡,
  • 刘自力

Abstract

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１．３μｍ量子阱ＬＤ的工艺研究和特性分析金锦炎，李同宁，刘涛，李云樵，王任凡，刘自力（武汉电信器件公司）１引言１．３μｍ波长激光器作为光通信光源，正由有致冷向无致冷转化。量子阱激光器阈值电流低、温度特性好，因此是无致冷激光器的最佳选择［１～２］。我们...