长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管

Abstract

采用液相外延法和台面工艺制作了具有中间带隙“梯度层”的倍增区与吸收区分离的长波长InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管（简称SAGM-APD）已经获得初步成功。量子效率67％;0.9VB时的暗电流<100nA;过剩噪声因子F=5;最大倍增因子M=25;上升和下降时间各为300ps。结果表明,这种新型材料制作的雪崩光电二极管在性能上优于Ge-APD。