پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای (May 2022)
تأثیر ویژگی‌های فیزیکی تیپ و زیرلایه بر تقویت میدان الکتریکی در طیف‌سنجی رامان تقویت‌شده با تیپ
Abstract
در این مقاله از روش تفاضل محدود در حوزه زمان برای تخمین شدت و توزیع میدان الکتریکی تقویت شده بصورت موضعی در طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ (TERS) در مجاورت تیپ مخروطی شکل به قطر نوک 10 نانومتر استفاده شده است. ضمن مقایسه میدان الکتریکی تقویت شده در دو پیکربندی با زیرلایه و بدون زیرلایه، تأثیر استفاده از مواد مختلف برای تیپ در مجاورت زیر لایه و همچنین اثر لایه‌نشانی نازک فلزهای مختلف بر روی تیپ در میزان تقویت میدان الکتریکی بررسی شده است. جنس تیپ در سیستم TERS از موادی نظیر طلا، نقره، آلومینیوم، مس و سیلیکون و همچنین حالت ترکیبی از این مواد بصورت لایه نشانی در نظر گرفته شده است. از نتایج شبیه‌سازی بدست آمده می توان برای پیش‌بینی شدت و توزیع میدان الکتریکی تقویت شده موضعی در طراحی ساختار هندسی و فیزیکی مناسب برای پیاده سازی تجربی TERS استفاده کرد.
Keywords
