Zhejiang Daxue xuebao. Lixue ban (Jul 2018)

The study of Cr doped LiZnAs diluted semiconductor based on the first-principles(Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究)

  • ZHANGYunli(张云丽),
  • ZHUZiqiang(朱自强),
  • LIXiaochuan(李晓川),
  • LIUKuili(刘奎立),
  • WUHongzhang(巫洪章),
  • ZHOUXiaodong(周小东)

DOI
https://doi.org/10.3785/j.issn.1008-9497.2018.04.010
Journal volume & issue
Vol. 45, no. 4
pp. 429 – 435

Abstract

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采用第一性原理研究了 Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系(Li1.1(Zn1-xCrx)As) (x= 0.1)的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先，通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量，发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下，当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时，过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响；其次，分析了 Cr掺杂LiZnAs的磁性来源，发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道；最后，研究了 Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构，结果显示Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性.

Keywords