Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних <i>p-i-n</i> фотодіодів на основі високоомного <i>р</i>-Si

Abstract

Зважаючи на потребу ринку в високочутливих кремнієвих p-i-n фотодіодах (ФД) для детектування випромінювання YAG-лазера (довжина хвилі 1,064 мкм), вирішено дослідити методи збільшення їх чутливості, зокрема зміщення максимуму спектральної характеристики чутливості фотоприймача в сторону більших довжин хвиль, а також проаналізувати вплив різних технологічних факторів на її вигляд. Встановлено, що при збільшенні напруги зворотного зміщення зміщується максимум спектральної характеристики в сторону більших довжин хвиль. Також побачено, що при збільшенні часу життя неосновних носіїв заряду та питмого опору кремнію при однаковій напрузі зміщення максимум спектральної характерстики зміщується в сторону більших довжин хвиль. Досягнуто значення максимуму спектральної характеристики 1,01-1,02 мкм. При використанні меза-технології, яка мінімізує деградацію питомого опору матеріалу, подальше зміщення максимуму не відбувається. Також встановлено, що зміна глибини залягання дифузійних шарів ФД може негативно впливати на рівень шумів.

Keywords

• кремній
• фотодіод
• чутливість
• спектральна характеристика
• питомий опір