n-AgInSe2/p-Si Heteroeklem Diyodunun Sıcaklığa Bağlı Akım-Gerilim Karakteristikleri

Abstract

n-AgInSe2/p-Si heteroeklem diyodu, AgInSe2 ince filminin, p-tipi Si üzerine ardıl tabaka biriktirme yöntemi ile imal edilmiştir. Diyodun idealite çarpanı ve doyma akımı sıcaklık bağlı davranış göstermiştir. Aktivasyon enerjisi, geleneksel aktivasyon enerji grafiği kullanılarak hesaplanmıştır. Akım mekanizmaları kusur-destekli tünelleme ve taşıyıcı rekombinasyonu olarak belirlenmiştir. Ayrıca aktivasyon enerjisini hesaplamak için değiştirilmiş Horvath yöntemi, n-AgInSe2/p-Si heteroeklemi için ilk defa burada sunulmuştur.

Keywords

• AgInSe2 thin film
• Temperature dependence
• Modified Horvath method
• AgInSe2 ince film
• Sıcaklık bağlılığı
• Değiştirilmiş Horvath yöntemi