Revista Ingeniería UC (Dec 2020)

Multiplexor 4 x 1 de alto rendimiento basado en un transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono de pared simple con lógica de transistor de paso similar a CMOS

  • Hamed Fooladvand,
  • Karim Abbasian ,
  • Hamed Baghban

DOI
https://doi.org/10.54139/revinguc.v27i3.149
Journal volume & issue
Vol. 27, no. 3

Abstract

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En los últimos años, según muchos estudios, el transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET) mostró un alto rendimiento en muchos circuitos lógicos debido a sus propiedades y en comparación con otros homólogos de silicio. Sin embargo, garantizar estos beneficios sigue siendo un desafío para la aplicación de circuitos integrados a nanoescala. Debido a sus excelentes características eléctricas y mecánicas, CNTFET es uno de los sustitutos más prometedores de la tecnología de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Aunque estas características son adecuadas para implementar en varios circuitos digitales prácticos, los circuitos basados en CNTFET resolverán enormes problemas de fabricación debido a su tamaño. En este artículo, mostramos que se podría obtener una simplificación importante mediante el diseño de circuitos integrados basados en CNTFET a través de una configuración lógica de transistor de paso tipo CMOS en el uso de transistores de efecto de campo, en lugar de la configuración tradicional de semiconductores de óxido de metal complementario (CMOS). La configuración PTL similar a CMOS crea una simplificación notable del diseño del circuito basado en CNTFET, una mayor velocidad del circuito y una gran reducción en el consumo de energía. Hay muchos problemas que se enfrentan al integrar un alto nivel de muchos transistores, como el efecto de canal corto, la disipación de potencia, el escalado de los transistores, etc. Para superar estos problemas, los Nanotubos de Carbono (CNT) tienen aplicaciones prometedoras en el campo de la electrónica. Los resultados de la simulación presentados y el consumo de energía en comparación con los diseños CMOS convencionales. La comparación de resultados probó que el diseño basado en CNTFET es capaz de ahorrar energía de manera eficiente y un rendimiento de alta velocidad.

Keywords