Полуполярный GaN(11-22) на наноструктурированном Si(113): структура для снижения термических напряжений

Abstract

Сообщается о росте полуполярных GaN(11-22) слоев методом эпитаксии из металлоорганических соединений на нано-структурированной подложке NP-Si(113). Показано, что упругие деформированные структуры GaN(11-22)/NP-Si(113) при зарождении островкового слоя формируют нано-метровый “податливый” слой кремния на подложке, а упругие напряжения, обусловленные различием температурных коэффициентов GaN и Si в такой структуре, уменьшаются

Keywords

• полуполярный нитрид галлия
• наноструктурированный кремний
• пругая и пластическая деформации структуры