ВЛИЯНИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Abstract

Рассмотрено влияние гамма-излучения Co60 на характеристики элементов аналоговых интегральных схем (ИС): входную вольтамперную характеристику (ВАХ) в схеме с общей базой (ОБ), выходную ВАХ в схеме общим эмиттером (ОЭ), зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ (β) от коллекторного тока ( IC ) для n-p-n - и p-n-p -транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n -переходом и каналом p -типа ( p -ПТП) в схеме с общим истоком (ОИ). Установлено, что уменьшение напряжения отсечки p -ПТП не превышает 3 %, а максимального тока стока - менее 5 % при поглощенной дозе D = 5,345 Мрад. Максимум зависимости β = f ( IC ) n-p-n- и p-n-p -транзисторов уменьшается и сдвигается в область больших коллекторных токов при D < 0,845 Мрад. При поглощенной дозе, превышающей 0,845 Мрад, максимум β n-p-n -транзисторов слабо снижается, а для p-n - p -транзисторов - немного увеличивается (частично восстанавливается).

Keywords

• радиационно-стойкие транзисторы
• гамма-излучение
• аналоговые интегральные схемы