پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای (May 2024)

طراحی و شبیه‏ سازی عددی سلول‏ های خورشیدی پشت سر هم بر پایة Sb2S3 جهت بهبود عملکرد فوتوولتائیک

  • زهرا دهمرده,
  • محسن سعادت

DOI
https://doi.org/10.22055/jrmbs.2024.19015
Journal volume & issue
Vol. 14, no. 1
pp. 41 – 54

Abstract

Read online

در این تحقیق سلول‏های خورشیدی پشت سر هم مختلفی طراحی و شبیه‏سازی شده که در آنها زیرسلول بالایی Sb2S3 است. ساختارهای مختلفی شامل Sb2Se3، CISe، CZTSe و GeTe برای زیرسلول پایینی پیشنهاد شد. تطابق جریان در زیرسلول بالا و پایین در سلول‏های پشت سر هم از اهمیت زیادی برخوردار است. برای رسیدن به نقطه تطابق جریان ضخامت لایه‏های زیرسلول پایینی ثابت نگه داشته شد و ضخامت لایه جاذب سلول بالایی تغییرداده شد تا چگالی جریان در هردو زیر سلول یکسان شود. در نقطه تطابق جریان عملکرد سلول بالایی تحت تابش طیف استاندارد AM 1.5G و عملکرد زیرسلول پایینی تحت تابش طیف فیلتر شده مورد ارزیابی قرار گرفت و سپس منحنی مشخصه جریان- ولتاژ سلول پشت سر هم از مجموع منحنی‏های مشخصه دو زیرسلول فرعی به دست آمد. بازدهی به دست آمده برای سلول‏های پشت سرهم Sb2S3/Sb2Se3، Sb2S3/CIS، Sb2S3/CZTSe و Sb2S3/GeTe به ترتیب برابر %10/22، %95/30، %83/24 و %80/36 به دست آمد. هر چه اختلاف گاف انرژی سلول‏های فرعی بیشتر باشد، فوتون‏های بیشتری جمع‏آوری می‏شوند و چگالی جریان بزرگتری برای سلول حاصل می‏شود. بهترین عملکرد هنگامی به دست آمد که از GeTe به عنوان زیرسلول پایینی استفاده شد.

Keywords