Gerador de pulsos rápidos para experimentos em física nuclear

Abstract

Este trabalho analisa o comportamento de componentes semicondutores (BJT, MOSFET e IGBT) utilizados como dispositivos de chaveamento nas configurações típicas de geradores de pulsos rápidos para aplicações como instrumentação em experimentos na área de física nuclear. Este tipo de aplicação requer pulsos estreitos (largura -100ns) e rápidos (tempo de subida -0,5ns a 5ns) de alta tensão (tipicamente 1 kV). Além da análise e de medições efetuadas em protótipos são propostas algumas diretrizes de projeto.